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感應加熱電源經歷了了20世紀20年代的發電機組與真空管發生器,60年代初的晶閘管(SCR)發生器,80年代初的晶體管發生器,直到90年代中期的現代功率晶體管(IGBT、MOSFET等)發生器這樣一個發展進程。
自20世紀60年代后期生產出了額定電流達300A的快速開關型晶體閘管SCR(Silicon ControledRectifier)之后,使得在技術和經濟性方面的障礙得以解決,從而為提供SCR中頻感應加熱電源成為可能,并導致了中頻加熱機式中頻電的淘汰。
20世紀80年代中期,已開發出適合于新一代感應加熱電源的新型功率元器件,其中包括:①具有功率大,開關速度快,損耗低的功率半導體器件MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)和 IGBT (InsulatedGate Bipolar Transistor);②能滿足高頻、大容量(kvar)、低損耗、很小電感、體積小,以及容易水冷的電容器;③能夠承受大電流、電壓比抽頭靈活及容易實現負載匹配的高頻(達300kHz)鐵氧體磁心變壓器。

現代感應加熱電源*是指以各類功率晶體管,如MOSFET、IGBT等為功率器件的感應加熱電源,也稱為(全)固態感應加熱電源。固態感應加熱電源是針對老式晶閘管(SCR)和真空管感應加熱電源來說的。感應加熱電源的頻率范圍很廣,大致對頻率低于10kHz以下的電源稱為中頻感應加熱電源;頻率為10~100kHz的稱為超音頻感應加熱電源;頻率高于100kHz的稱為高頻感應加熱電源。按照功率器件SCR、MOSFET和IGBT的頻率特性及功率容量來看,SCR主要應用于中頻感應加熱。從目前IGBT感應加熱電源的制造水平來看,國際上達到了1200kW/180kHz,我國為1000kW/50kHz;MOSFET感應加熱電源的制造水平,國際為2000kW/400kHz,我國為10~250kW/50~400kHz,1800kW/150kHz.

現代感應加熱電源具有如下特點:
1)所涉及的電路基本理論變化不大,由于新型功率器件的問世,其電路及實現技術有了很快的發展。
2)功率整流及逆變電路的器件多采用模塊器件代替單只功率器件。








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