如何選擇合適的高頻感應加熱設備

感應加熱電源經歷了了20世紀20年代的發電機組與真空管發生器，60年代初的晶閘管（SCR)發生器，80年代初的晶體管發生器，直到90年代中期的現代功率晶體管（IGBT、MOSFET等）發生器這樣一個發展進程。

自20世紀60年代后期生產出了額定電流達300A的快速開關型晶體閘管SCR（Silicon ControledRectifier)之后，使得在技術和經濟性方面的障礙得以解決，從而為提供SCR中頻感應加熱電源成為可能，并導致了中頻加熱機式中頻電的淘汰。

20世紀80年代中期，已開發出適合于新一代感應加熱電源的新型功率元器件，其中包括：①具有功率大，開關速度快，損耗低的功率半導體器件MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)和 IGBT (InsulatedGate Bipolar Transistor);②能滿足高頻、大容量（kvar)、低損耗、很小電感、體積小，以及容易水冷的電容器；③能夠承受大電流、電壓比抽頭靈活及容易實現負載匹配的高頻（達300kHz)鐵氧體磁心變壓器。

現代感應加熱電源*是指以各類功率晶體管，如MOSFET、IGBT等為功率器件的感應加熱電源，也稱為（全）固態感應加熱電源。固態感應加熱電源是針對老式晶閘管（SCR)和真空管感應加熱電源來說的。感應加熱電源的頻率范圍很廣，大致對頻率低于10kHz以下的電源稱為中頻感應加熱電源；頻率為10~100kHz的稱為超音頻感應加熱電源；頻率高于100kHz的稱為高頻感應加熱電源。按照功率器件SCR、MOSFET和IGBT的頻率特性及功率容量來看，SCR主要應用于中頻感應加熱。從目前IGBT感應加熱電源的制造水平來看，國際上達到了1200kW/180kHz,我國為1000kW/50kHz;MOSFET感應加熱電源的制造水平，國際為2000kW/400kHz,我國為10~250kW/50~400kHz,1800kW/150kHz.

現代感應加熱電源具有如下特點：

1)所涉及的電路基本理論變化不大，由于新型功率器件的問世，其電路及實現技術有了很快的發展。

2)功率整流及逆變電路的器件多采用模塊器件代替單只功率器件。